大家好，来看(kàn)一则(zé)突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依(yī)法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在(zài)华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络(luò)安全(quán)问题(tí)危除牛反绒是真皮吗，二层牛皮除牛反绒是真皮吗(wēi)害国家关(guān)键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施安(ān)全(quán)，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额除牛反绒是真皮吗，二层牛皮除牛反绒是真皮吗(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第(dì)二(èr)大(dà)和第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势(shì)，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业(yè)务占(zhàn)比(bǐ)较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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