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　　美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售的(de)产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光公司在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品。生理反应什么叫压枪，生理压枪是什么意思rong>

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(生理反应什么叫压枪，生理压枪是什么意思chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

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　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和(hé)薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。