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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。<武汉市有多少人口2023年，武汉市有多少人口2022总人数/strong>为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)武汉市有多少人口2023年，武汉市有多少人口2022总人数行网络安(ān)全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国(guó)家安全的(de)必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示武汉市有多少人口2023年，武汉市有多少人口2022总人数(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据(jù)等(děng)主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市(shì)场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国(guó)内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备(bèi)厂或(huò)从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。