大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产品网络安(ān)全(quán)问题危害国(guó)家关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求(qiú东京是不是日本首都 东京不是日本的首都吗)，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称(chēng)，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》，对美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公东京是不是日本首都 东京不是日本的首都吗(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波(bō)龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游(yóu)市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下(xià)游(yóu)客户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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