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　　美(měi)光公司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存(cún)在(zài)较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对(duì)我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)危害(hài)国家关键信息(xī)基(jī)础设施安全(quán)，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链安全(quán)，防(fáng)范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全(quán)风险，维(wéi)护国(guó)家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美光(guāng)等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采(cǎ感应电流公式3个公式推导，感应电流公式3个公式图解i)购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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