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　　美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络(luò)安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文美国各州的缩写是什么，美国各州缩写英文字母称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经(jīng)显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部(bù)数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的(de)供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采购(gòu)国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产(c美国各州的缩写是什么，美国各州缩写英文字母hǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(美国各州的缩写是什么，美国各州缩写英文字母de)结(jié)构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额(é)提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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